Доброго дня, Ваня!
Пропонуємо наступну інформацію:
1. Акустична емісія в світловипромінюючих структурах на основі сполук GaP, GaAs та GaN: автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 [Електронний ресурс] / В.П. Велещук; Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України. — К., 2008. — 19 с. http://www.nbuv.gov.ua/ard/2008/08vvpsos.zip
2. Москаль Денис Степанович. Дефектоутворення у приповерхневих шарах монокристалів GaAs під впливом низькорівневого просторово-модульованого лазерного опромінення: автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / Харківський національний ун-т ім. В.Н.Каразіна — Х., 2008. — 19с.
3. Особливості п'єзоопору в неопромінених і гамма-опромінених монокристалах германію та кремнію: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 [Електронний ресурс] / Микола В'ячеславович Хвищун; Волинський держ. ун-т ім. Лесі Українки. — Луцьк, 2002. — 18 с. http://www.nbuv.gov.ua/ard/2002/02hmvmgk.zip
4. Петрусенко С. К. Структура і властивості напівпровідникових твердих розчинів системи GaP-ZnSe // Фізіко-хімія конденсованих структурно-неоднорідних систем. — К., 1998. — Ч.2. — С.196.
5. Сукач Г. А. Воздействие нейтронного облучения на экситонные спектры в светоизлучающих p-n-структурах на основе GaP: N // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. — К., 1996. — Вып.31. — С.44–57.
6. Глинчук К. Д. Анализ дозовых зависимостей времен жизни неосновных носителей тока в облученных быстрыми нейтронами GaAs и GaAs1-хРх // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. — К., 1996. — Вып.31. — С.165–169.
7. Редько Р. А. Влияние микроволнового облучения на дефектную структуру SiO2-GaAs // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. — К., 2006. — Вып.41. — С.116–120.
http://web.isp.kiev.ua/dmdocuments/lashkarevski_2008.pdf
http://www.pu.if.ua/inst/phys_che/start/conference/invite.htm
http://www.pu.if.ua/inst/phys_che/start/conference/41.htm